Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Löcherdiffusionslänge — skylių difuzijos nuotolis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole diffusion length vok. Löcherdiffusionslänge, f rus. диффузионная длина дырок, f pranc. distance de diffusion des trous, f; parcours de diffusion des trous, m … Radioelektronikos terminų žodynas
distance de diffusion des trous — skylių difuzijos nuotolis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole diffusion length vok. Löcherdiffusionslänge, f rus. диффузионная длина дырок, f pranc. distance de diffusion des trous, f; parcours de diffusion des trous, m … Radioelektronikos terminų žodynas
hole diffusion length — skylių difuzijos nuotolis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole diffusion length vok. Löcherdiffusionslänge, f rus. диффузионная длина дырок, f pranc. distance de diffusion des trous, f; parcours de diffusion des trous, m … Radioelektronikos terminų žodynas
parcours de diffusion des trous — skylių difuzijos nuotolis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole diffusion length vok. Löcherdiffusionslänge, f rus. диффузионная длина дырок, f pranc. distance de diffusion des trous, f; parcours de diffusion des trous, m … Radioelektronikos terminų žodynas
skylių difuzijos nuotolis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole diffusion length vok. Löcherdiffusionslänge, f rus. диффузионная длина дырок, f pranc. distance de diffusion des trous, f; parcours de diffusion des trous, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия
ФОТОМАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ — (фотоэлектромагнитный эффект, Кикоина Носкова эффект) возникновение электрич. поля в полупроводнике, помещённом в магн. поле, при освещении его сильно поглощаемым светом. Если на полупроводник падает свет, частота к рого со соответствует собств.… … Физическая энциклопедия
СВЕТОДИОД — (светоизлучающий диод), полупроводниковый прибор, преобразующий электрич. энергию в энергию оптич. излучения на основе явления инжекционной электролюминесценции, происходящей в ПП кристалле с электронно дырочным переходом или гетеропереходом либо … Физическая энциклопедия
p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… … Физическая энциклопедия
